參數(shù)資料
型號： AO4496
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： AO4496
AO4496
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
IF=-6.5A, dI/dt=100A/s
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10
20
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40
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1
2
3
4
5
VDS (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I D
(A
)
4V
4.5V
10V
3.5V
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VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I D
(A
)
25°C
125°C
VDS= 5V
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ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
S
(O
N
)
(m
)
VGS= 10V
VGS= 4.5V
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I S
(A
)
25°C
125°C
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
o
rm
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li
z
e
d
O
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-R
e
s
is
ta
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c
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VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
S
(O
N
)
(m
)
ID= 10A
25°C
125°C
VGS= 3V
VGS= 10V
ID= 10A
VGS= 4.5V
ID= 7.5A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4912 30 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO4914 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AOD452A 55 A, 25 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOL1412 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1448 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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AO4496_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4498 功能描述:MOSFET N CH 30V 18A SOIC 8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4498E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4498EL 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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