參數(shù)資料
型號(hào): AO4496
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: GREEN, SOIC-8
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 198K
代理商: AO4496
AO4496
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
IF=-6.5A, dI/dt=100A/s
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0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
S
(V
o
lt
s
)
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ciss
Coss
Crss
1
10
100
1000
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Ambient (Note E)
P
o
w
e
r
(W)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note E)
Z
θθθθJ
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(A
m
p
s
)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
100
s
10ms
1ms
100ms
10s
10
s
DC
VDS= 15V
ID= 10A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=75°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4912 30 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO4914 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AOD452A 55 A, 25 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOL1412 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1448 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AO4496_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4498 功能描述:MOSFET N CH 30V 18A SOIC 8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4498E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4498EL 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 18A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000