參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP60JDF2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商： APT40GP60JDF2
050-7421
Rev
D
3-2004
APT40GP60JDF2
T
J = 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J = 25°C, VGE = 10V or 15V
VCE = 400V
RG= 5
L = 100 H
V
GE =15V,TJ=125°C
VGE= 15V
VGE= 10V
V
GE =10V,TJ=125°C
V
GE =10V,TJ=25°C
V
GE =15V,TJ=25°C
T
J = 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J = 25°C, VGE = 10V or 15V
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
R
G =5, L = 100
H, VCE = 400V
R
G =5, L = 100
H, VCE = 400V
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON1
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
20
406080
100
0
2040
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
40
35
30
25
20
15
10
5
0
120
100
80
60
40
20
0
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
2000
1500
1000
500
0
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
TJ=125°C,15V
TJ = 25°C, 15V
TJ=125°C,10V
TJ = 25°C, 10V
Eon220A
Eoff40A
Eon240A
Eon280A
Eoff80A
Eoff20A
Eon220A
Eoff40A
Eon240A
Eon280A
Eoff80A
Eoff20A
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 10V
VCE = 400V
TJ = 25°C, TJ =125°C
RG= 5
L = 100 H
VCE = 400V
TJ = 125°C
VGE = +15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40GU60JU3 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40M70LVR 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT50GF120HR 62 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258
APT50GF60JCU2 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60JDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT40GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT40GP60SG 功能描述:IGBT 600V 100A 543W D3PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT40GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT40GP90B2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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