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參數(shù)資料
| 型號： | APT40GP60JDF2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | APT40GP60JDF2 |
050-7421
Rev
D
3-2004
APT40GP60JDF2
TJ = 125°C
VR = 400V
15A
30A
60A
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A
)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A
)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
30A
60A
15A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
60A
TJ = 125°C
VR = 400V
trr
Qrr
trr
IRRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
.3
1
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
TJ = 125°C
VR = 400V
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt,CURRENTRATEOFCHANGE(A/s)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40GU60JU3 | 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40M70LVR | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT50GF120HR | 62 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258 |
| APT50GF60JCU2 | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT40GP60JDQ2 | 功能描述:IGBT 600V 86A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT40GP60S | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT40GP60SG | 功能描述:IGBT 600V 100A 543W D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT40GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT40GP90B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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