參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP60JDF2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 214K
代理商： APT40GP60JDF2
050-7421
Rev
D
3-2004
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT40GP60JDF2
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
Cres
Cies
Coes
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.109
0.180
0.151
0.0107F
0.149F
1.22F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
RC MODEL
Case temperature
10
20
30
40
50
60
210
100
50
10
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
,f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
SINGLE PULSE
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
FIGURE1,MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvsPULSEDURATION
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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APT40GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT40GP90B2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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