參數(shù)資料
型號(hào): APT40GP60JDF2
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商: APT40GP60JDF2
050-7421
Rev
D
3-2004
APT40GP60JDF2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
90%
td(off)
tf
90%
10%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
0
Switching Energy
T
J = 125 C
IC
A
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
10%
tr
10%
90%
5%
td(on)
5 %
TJ = 125 C
Switching Energy
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40GU60JU3 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40M70LVR 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT50GF120HR 62 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258
APT50GF60JCU2 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60JDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT40GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT40GP60SG 功能描述:IGBT 600V 100A 543W D3PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT40GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT40GP90B2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT