參數(shù)資料
型號： APTCV60TLM70T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 281K
代理商： APTCV60TLM70T3G
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
8- 11
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S
,Drai
n
to
S
o
u
rce
B
reakd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(
N
o
rm
a
li
z
ed
)
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(o
n
),
Drai
n
to
So
u
rce
ON
resi
stance
(N
or
m
a
lize
d
)
VGS=10V
ID= 39A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Thre
s
hold
Vo
lt
a
g
e
(N
or
m
a
lize
d
)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
250
300
Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate
to
So
u
rce
V
o
lt
ag
e
(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=39A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV50H120BTPG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
ARA2000S23TR RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
AT30TS750-XM8-T DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT
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參數(shù)描述
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APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV90TL12T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTD1608CGCK 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封裝 / 箱體:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明顏色:Red 波長/色溫:631 nm 透鏡顏色/類型:Water Clear 正向電流:30 mA 正向電壓:2 V 光強(qiáng)度:54 mcd 顯示角:130 deg 系列:VLMx1500 封裝:Reel
APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:綠色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:8mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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