參數(shù)資料
型號： APTCV60TLM70T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： APTCV60TLM70T3G
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
6- 11
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
00.5
11.5
22.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
20
40
60
80
100
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 8.2
TJ = 150°C
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
5
15
253545
5565
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=8.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rma
lImpe
da
nc
e
(
°C
/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV50H120BTPG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
ARA2000S23TR RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
AT30TS750-XM8-T DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTCV60TLM991G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV90TL12T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTD1608CGCK 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封裝 / 箱體:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明顏色:Red 波長/色溫:631 nm 透鏡顏色/類型:Water Clear 正向電流:30 mA 正向電壓:2 V 光強(qiáng)度:54 mcd 顯示角:130 deg 系列:VLMx1500 封裝:Reel
APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:綠色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:8mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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