參數(shù)資料
型號(hào)： APTCV60TLM70T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： APTCV60TLM70T3G
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
3- 11
Q2 & Q3 Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
80
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
176
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
100A @ 550V
Q2 & Q3 Electrical Characteristics.
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 600A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Q2 & Q3 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3150
Coes
Output Capacitance
200
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
95
pF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=50A
VCE=300V
0.5
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2Ω
60
ns
Tj = 25°C
0.3
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.43
mJ
Tj = 25°C
1.35
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2Ω
Tj = 150°C
1.75
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
250
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
0.85
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV50H120BTPG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
ARA2000S23TR RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
AT30TS750-XM8-T DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT
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參數(shù)描述
APTCV60TLM991G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV90TL12T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTD1608CGCK 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封裝 / 箱體:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明顏色:Red 波長/色溫:631 nm 透鏡顏色/類型:Water Clear 正向電流:30 mA 正向電壓:2 V 光強(qiáng)度:54 mcd 顯示角:130 deg 系列:VLMx1500 封裝:Reel
APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:綠色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級(jí):8mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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