參數(shù)資料
型號(hào)： APTCV60TLM70T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 32 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： APTCV60TLM70T3G
APTCV60TLM70T3G
APT
C
V60T
LM
70T
3G
–
Rev
0
Mar
ch,
2009
www.microsemi.com
10 - 11
CR5 & CR6 Typical performance curve
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
VF (V)
I F
(A
)
Energy losses vs Collector Current
0
0.25
0.5
0.75
1
0
20406080
IC (A)
E
(mJ)
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.5
TJ = 125°C
0
0.25
0.5
0.75
1
0
246
8
10
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 400V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
pe
da
nc
e
(
°C
/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV50H120BTPG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
AR0001 MOBILE STATION ANTENNA
ARA2000S23TR RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
AT30TS750-XM8-T DIGITAL TEMP SENSOR-SERIAL, 12BIT(s), 3Cel, SQUARE, SURFACE MOUNT
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參數(shù)描述
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