參數(shù)資料
型號(hào)： ARF476FL
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： ARF476FL
050-4931
B
6-2007
DYNAMIC CHARACTERISTICS (per section)
ARF476FL
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
f = 1MHz
V
GS
= 15V
V
DD
= 250V
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25°C
R
G
= 1.6
MIN
TYP
MAX
780
830
125
130
79
5.1
10
4.1
8
12
18
4.0
7
UNIT
pF
ns
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS (Push-Pull Configuration)
Symbol
G
PS
η
ψ
Test Conditions
f = 128 MHz
Idq = 15mA
V
DD
= 150V
Pout = 900W
PW = 3ms
10% duty cycle
No Degradation in Output Power
Characteristic
Common Source Amplifier Power Gain
Drain Efficiency
Electrical Ruggedness VSWR 5:1
MIN
TYP
MAX
14
16
50
55
UNIT
dB
%
1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
Microsemi Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
CAPACITANCE
(pf)
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2, Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
3000
1000
500
100
50
10
1
.1
1
10
100 200
Ciss
Coss
Crss
Per transistor section unless otherwise specified.
VDS,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
9V
7V
8V
12V
10V
11V
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
024
6
8
10
VGS,GATE-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)
Figure 3, Typical Transfer Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250 SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
TJ = -55°C
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 4, Typical Threshold Voltage vs Temperature
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS(th)
,THRESHOLD
VOLTAGE
(NORMALIZED)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ARF477FL 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
ARF523-2112S DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100/1000 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
ARH1617RGS DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
ARHNR-1605GS DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
ARHNR-1609GS DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ARF476FL_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER MOSFET N-CHANNEL PUSH - PULL PAIR
ARF477FL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 500V 15A 8-Pin 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF MOSFET (VDMOS) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF FET N Channel 500V Push- 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
ARF477FL_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER MOSFET N-CHANNEL PUSH - PULL PAIR
ARF500 12R J 功能描述:RES CHAS MNT 12 OHM 5% 500W 制造商:ohmite 系列:ARF 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電阻值:12 Ohms 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:0°C ~ 200°C 特性:脈沖耐受 涂層，外殼類型:鋁 安裝特性:螺釘孔 大小/尺寸:10.630" 長 x 3.110" 寬 (270.00mm x 79.00mm) 高度 - 安裝（最大值）:0.728"（18.50mm） 引線形式:導(dǎo)線引線 封裝/外殼:矩形外殼 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
ARF500 16R J 功能描述:RES CHAS MNT 16 OHM 5% 500W 制造商:ohmite 系列:ARF 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電阻值:16 Ohms 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:0°C ~ 200°C 特性:脈沖耐受 涂層，外殼類型:鋁 安裝特性:螺釘孔 大小/尺寸:10.630" 長 x 3.110" 寬 (270.00mm x 79.00mm) 高度 - 安裝（最大值）:0.728"（18.50mm） 引線形式:導(dǎo)線引線 封裝/外殼:矩形外殼 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*