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參數(shù)資料
| 型號： | ATF-501P8-BLKG |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| 封裝： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LEAD FREE, LPCC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 13/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | ATF-501P8-BLKG |
20
2 x 2 LPCC (JEDEC DFP-N) Package Dimensions
Ordering Information
Part Number
No. of Devices
Container
ATF-501P8-TR1
3000
7” Reel
ATF-501P8-TR2
10000
13”Reel
ATF-501P8-BLK
100
antistatic bag
Device Models
Refer to Agilent’s Web Site
www.agilent.com/view/rf
D
E
8
7
6
5
A
D1
E1
P
e
pin1
R
L
b
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS
DIMENSIONS
MIN.
0.70
0
0.203 REF
0.225
1.9
0.65
1.9
1.45
0.50 BSC
NOM.
0.75
0.02
0.203 REF
0.25
2.0
0.80
2.0
1.6
0.50 BSC
MAX.
0.80
0.05
0.203 REF
0.275
2.1
0.95
2.1
1.75
0.50 BSC
SYMBOL
A
A1
A2
b
D
D1
E
E1
e
1
pin1
2
3
4
0PX
Top View
End View
Bottom View
A2
A
A1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-501P8-TR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR1G | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR2G | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR2 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-BLK | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-501P8-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-501P8-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-511P8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC |
| ATF-511P8-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-511P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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