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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF-501P8-BLKG |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| 封裝： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LEAD FREE, LPCC-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | ATF-501P8-BLKG |
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6
ATF-501P8 Typical Performance Curves (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5V 280 mA
Figure 16. OIP3 vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
OIP3
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
55
50
45
40
35
30
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 17. OIP3 vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
OIP3
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
55
50
45
40
35
30
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 18. P1dB vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 19. P1dB vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 20. Gain vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
GAIN
(dB)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 21. Gain vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
GAIN
(dB)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 22. PAE vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
PAE
(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 23. PAE vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
PAE
(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-501P8-TR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR1G | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR2G | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR2 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-501P8-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-501P8-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-511P8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC |
| ATF-511P8-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-511P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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