參數(shù)資料
型號： BLF4G20LS-130
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 32 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 25 W; Package material: SOT896-1 ; Power gain: 18 dB
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC, LDMOST, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： BLF4G20LS-130
BLF4G20LS-130_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 1 June 2007
4 of 11
NXP Semiconductors
BLF4G20LS-130
UHF power LDMOS transistor
7.2 One-tone CW
VDS = 28 V; IDq = 900 mA; Tcase = 25 °C; f = 1990 MHz.
Fig 1.
One-tone CW power gain and drain efciency as functions of load power;
typical values
PL (W)
0
160
120
40
80
001aag526
12
14
16
Gp
(dB)
10
20
40
60
ηD
(%)
0
Gp
ηD
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PDF描述
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