參數(shù)資料
型號： BLF6G10LS-200R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27.5 %; Frequency band: 869 - 894 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BLF6G10LS-200R
BLF6G10LS-200R_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 01 — 21 January 2008
2 of 10
NXP Semiconductors
BLF6G10LS-200R
Power LDMOS transistor
1.3 Applications
I RF power ampliers for GSM, GSM EDGE, W-CDMA and CDMA base stations and
multi carrier applications in the 800 MHz to 1000 MHz frequency range.
2.
Pinning information
[1]
Connected to ange.
3.
Ordering information
4.
Limiting values
5.
Thermal characteristics
Table 2.
Pinning
Pin
Description
Simplied outline
Symbol
1
drain
2
gate
3
source
3
2
1
sym112
1
3
2
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BLF6G10LS-200R
-
earless anged LDMOST ceramic package; 2 leads
SOT502B
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDS
drain-source voltage
-
65
V
VGS
gate-source voltage
0.5
+13
V
ID
drain current
-
49
A
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
-
225
°C
Table 5.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Unit
Rth(j-case)
thermal resistance from junction to case
Tcase =80 °C; PL = 40 W
0.35
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27 %; Frequency band: 800-1000 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
BLF872 UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB
BLH2-21-35PC-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
BLH2-21-39PN-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
BLH2-23-21PK-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
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參數(shù)描述
BLF6G10LS-200R /T3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF6G10LS-200R,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF6G10LS-200R,118 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF6G10LS-200RN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin LDMOST 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin SOT-502B
BLF6G10LS-200RN,11 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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