參數(shù)資料
型號： BLF6G10LS-200R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27.5 %; Frequency band: 869 - 894 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BLF6G10LS-200R
BLF6G10LS-200R_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 01 — 21 January 2008
4 of 10
NXP Semiconductors
BLF6G10LS-200R
Power LDMOS transistor
7.2 One-tone CW
7.3 Two-tone CW
VDS = 28 V; IDq = 1400 mA; f = 881 MHz.
Fig 1.
One-tone CW power gain and drain efciency as functions of load power;
typical values
PL (W)
0
200
160
80
120
40
001aah518
17
19
21
Gp
(dB)
15
20
40
60
0
ηD
(%)
Gp
ηD
VDS =28V;IDq = 1400 mA; f = 881 MHz (±100 kHz).
Fig 2.
Two-tone CW power gain and drain efciency
as functions of peak envelope load power;
typical values
Fig 3.
Two-tone CW intermodulation distortion as
function of peak envelope load power; typical
values
20
40
60
0
ηD
(%)
PL(PEP) (W)
0
360
240
120
001aah519
17
19
21
Gp
(dB)
15
Gp
ηD
001aah520
PL(PEP) (W)
0
180
120
60
40
50
30
20
IMD
(dBc)
60
IMD3
IMD5
IMD7
相關PDF資料
PDF描述
BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27 %; Frequency band: 800-1000 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
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BLH2-21-39PN-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
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參數(shù)描述
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