參數(shù)資料
型號： BSH102
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 850 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 96K
代理商： BSH102
1997 Dec 08
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH102
Fig.8 Transfer characteristic; typical values.
V
DS
= 10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
3
2
1
0
6
MGM204
2
4
VGS (V)
Fig.9
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0 ; f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
80
120
40
0
30
MGM202
10
20
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
Fig.10 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
65
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
0.4
1.2
0
0.4
1.6
1.2
0.8
MGH206
0.8
VSD (V)
(2)
(3)
(1)
Fig.11 Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) I
D
= 0.1 A.
(2) I
D
= 0.25 A.
(3) I
D
= 0.5 A.
(4) I
D
= 0.75 A.
(5) I
D
= 1 A.
(6) I
D
= 2 A.
(7) I
D
= 4 A.
handbook, halfpage
10
1
1
10
6
2
4
0
MGM207
8
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
(7)
(6)
RDSon
(
)
VGS (V)
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BSH103 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH103,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH103,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BSH Series 30 V 0.5 O 0.5 W N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
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