參數(shù)資料
型號： BSH112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 290K
代理商： BSH112
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 25 August 2000
Product specification
c
c
M3D088
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
BSH112 in SOT23.
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Very fast switching
I
Logic level compatible
I
Subminiature surface mount package
I
Gate-source ESD protection diodes.
3.
Applications
I
Relay driver
I
High speed line driver
I
Logic level translator.
4.
Pinning information
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT23, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT23
N-channel MOSFET
2
source (s)
3
drain (d)
1
2
3
03ab44
d
g
s
03ab60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH206 P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH299 P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH301 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
BSM111AR(C) TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D)
BSM121 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSH112,235 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BSH114 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field effect transistor
BSH114 T/R 功能描述:MOSFET TAPE7 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH114,215 功能描述:MOSFET TAPE7 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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