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參數(shù)資料
| 型號： | CAT28F102 |
| 英文描述： | 1 Megabit CMOS Flash Memory(1M(64K x 16位）位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1兆位的CMOS快閃記憶體（100萬（64K的× 16位）位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | CAT28F102 |
CAT28F102
4
Doc. No. 25038-0A 2/98 F-1
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
V
CC
= +5V
±
10%, unless otherwise specified
Limits
Max.
Symbol
Parameter
Min.
Unit
μ
A
Test Conditions
I
LI
Input Leakage Current
±
1
V
IN
= V
CC
or V
SS
V
CC
= 5.5V, OE = V
IH
I
LO
Output Leakage Current
±
1
μ
A
V
OUT
= V
CC
or V
SS
,
V
CC
= 5.5V, OE = V
IH
I
SB1
V
CC
Standby Current CMOS
100
μ
A
CE = V
CC
±
0.5V,
V
CC
= 5.5V
I
SB2
V
CC
Standby Current TTL
1
mA
CE = V
IH
, V
CC
= 5.5V
I
CC1
V
CC
Active Read Current
50
mA
V
CC
= 5.5V, CE = V
IL
,
I
OUT
= 0mA, f = 6 MHz
I
CC2(1)
V
CC
Programming Current
30
mA
V
CC
= 5.5V,
Programming in Progress
I
CC3(1)
V
CC
Erase Current
30
mA
V
CC
= 5.5V,
Erasure in Progress
I
CC4(1)
V
CC
Prog./Erase Verify Current
30
mA
V
CC
= 5.5V, Program or
Erase Verify in Progress
I
PPS
V
PP
Standby Current
±
10
μ
A
μ
A
V
PP
= V
PPL
I
PP1
V
PP
Read Current
100
V
PP
= V
PPH
I
PP2(1)
V
PP
Programming Current
50
mA
V
PP
= V
PPH
,
Programming in Progress
I
PP3(1)
V
PP
Erase Current
30
mA
V
PP
= V
PPH
,
Erasure in Progress
I
PP4(1)
V
PP
Prog./Erase Verify Current
5
mA
V
PP
= V
PPH
, Program or
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Level TTL
–0.5
0.8
V
V
ILC
Input Low Level CMOS
–0.5
0.8
V
V
OL
Output Low Level
0.45
V
I
OL
= 5.8mA, V
CC
= 4.5V
V
IH
Input High Level TTL
2
V
CC
+0.5
V
V
IHC
Input High Level CMOS
V
CC
*0.7
V
CC
+0.5
V
V
OH1
Output High Level TTL
2.4
V
I
OH
= –2.5mA, V
CC
= 4.5V
V
OH2
Output High Level CMOS
V
CC
-0.4
V
I
OH
= –400
μ
A, V
CC
= 4.5V
V
ID
A
9
Signature Voltage
11.4
13.0
V
A
9
= V
ID
I
ID(1)
A
9
Signature Current
200
μ
A
A
9
= V
ID
V
LO
V
CC
Erase/Prog. Lockout Voltage
2.5
V
Supply Characteristics
V
CC
V
CC
Supply Voltage
V
CC
V
CC
Supply Voltage
V
PPL
V
PP
During Read Operations
V
PPH
V
PP
During Read/Erase/Program 11.4
4.5
5.5
V 28F102-70, 90
4.75 5.25 V 28F102-55, -45
0 6.5
V
12.6
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CAT28F512 | 512K-Bit CMOS Flash Memory(512K(64K x 8位）位CMOS閃速存儲器) |
| CAT28HT256 | 256K-Bit CMOS Parallel EEPROM(5V,快速，低功耗，256K位（32K x 8位）并行CMOS EEPROM) |
| CAT28HT64 | 64K-Bit CMOS Parallel EEPROM(5V,快速，低功耗，64K位（8K x 8位）并行CMOS EEPROM) |
| CAT28LV256PE-20T | 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM |
| CAT28LV256PE-25T | 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CAT28F512G12 | 功能描述:閃存 64 X 8 512K 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| CAT28F512G-12 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Flash Memory IC |
| CAT28F512G-12T | 功能描述:閃存 512K-Bit CMOS 閃存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| CAT28F512G90 | 功能描述:閃存 64 X 8 512K 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| CAT28F512G-90 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC FLASH 512KBIT 90NS LCC-32 |
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