品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD5N50U 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥1.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):ME2100D50M5G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):5HN02M-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:50V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
¥0.35
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQD5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥1.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥5 個(gè)
¥1.25
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQD5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥1.10
品牌:OGFD | 型號(hào):830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.02
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF5N50C FQP5N60C 5N50 5N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 最大漏極電流:V | 跨導(dǎo):D | 開(kāi)啟電壓:V | 夾斷電壓:V | 低頻噪聲系數(shù):VV | 極間電容:V | 最大耗散功率:V
≥500 個(gè)
¥0.65