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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CSR2930800BA |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8/512K x 16) BIT |
| 中文描述： | 閃存的CMOS 800萬（100萬x 8/512K × 16）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 475K |
| 代理商： | CSR2930800BA |
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CSR2930800BA
-90
27
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note:
Test Conditions:
Output Load:1 TTL gate and 100 pF (CSR2930800BA-90)
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V or 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output:1.5 V
Parameter
Symbol
Test Setup
Value *
Unit
-90
JEDEC
Standard
Min
Max
Read Cycle Time
t
AVAV
t
RC
—
90
—
ns
Address to Output Delay
t
AVQV
t
ACC
CE = V
IL
OE = V
IL
—
90
ns
Chip Enable to Output Delay
t
ELQV
t
CE
OE = V
IL
—
90
ns
Output Enable to Output Delay
t
GLQV
t
OE
—
—
35
ns
Chip Enable to Output High-Z
t
EHQZ
t
DF
—
—
30
ns
Output Enable to Output High-Z
t
GHQZ
t
DF
—
—
30
ns
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
t
AXQX
t
OH
—
0
—
ns
RESET Pin Low to Read Mode
—
t
READY
—
—
20
μ
s
CE to BYTE Switching Low or High
—
t
ELFL
t
ELFH
—
—
5
ns
C
L
V
CC
Diodes
=
IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Figure 4 Test Conditions
Notes : C
L
=
100 pF including jig capacitance (CSR2930800BA-90)
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