參數(shù)資料
型號(hào): CXK77B1841AGB
廠商: Sony Corporation
英文描述: 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位))
中文描述: 4Mb的后寫入LVTTL高速同步SRAM(128K的x 36Bit)(4分位,寫延遲,LVTTL高速同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(128K的× 36位))
文件頁數(shù): 14/28頁
文件大?。?/td> 222K
代理商: CXK77B1841AGB
4Mb, Sync LW, LVTTL, rev 1.2
14 / 28
September 24, 1998
SONY
CXK77B3641AGB / CXK77B1841AGB
Preliminary
AC Test Conditions (V
DDQ
= 2.5V)
(V
DD
= 3.3V
±
5%, V
DDQ
= 2.5V -5%/+10%, T
A
= 0 to 85
°
C)
Item
Symbol
Conditions
Units
Notes
Input High Level
V
IH
2.0
V
t
S
1.0ns
t
S
1.0ns
Input Low Level
V
IL
0.8
V
Input Rise & Fall Time
1.0
V/ns
Input Reference Level
1.4
V
Clock
LVTTL Input High Voltage
V
KIH
V
KIL
V
CM
V
IH-PECL
V
IL-PECL
2.2
V
V
DIF
0.8V
V
DIF
0.8V
LVTTL Input Low Voltage
0.6
V
LVTTL Input Common Mode Voltage
1.4
V
PECL Input High Voltage
2.3
V
PECL Input Low Voltage
1.6
1.0
V
Clock Input Rise & Fall Time
V/ns
Clock Input Reference Level
K/K cross
V
Output Reference Level
1.25
V
Output Load Conditions
Fig.1
DQ
1.25 V
Fig. 1: AC Test Output Load (V
DDQ
= 2.5V)
50
50
5 pF
16.7
1.25 V
50
50
5 pF
16.7
16.7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CXK77B3641AGB 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAMs (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)(HSTL)、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位))
CXK77B1841GB 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位))
CXK77B3611AGB- High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
CXK77B3611AGB-5 High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
CXK77B3611AGB-6 High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
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參數(shù)描述
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