參數(shù)資料
型號： CXK77B1841AGB
廠商： Sony Corporation
英文描述： 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位))
中文描述： 4Mb的后寫入LVTTL高速同步SRAM（128K的x 36Bit）（4分位，寫延遲，LVTTL高速同步靜態(tài)隨機存儲器（128K的× 36位））
文件頁數(shù)： 28/28頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： CXK77B1841AGB
4Mb, Sync LW, LVTTL, rev 1.2
28 / 28
September 24, 1998
SONY
CXK77B3641AGB / CXK77B1841AGB
Preliminary
rev 1.1
05/01/98
1. Modified AC Timing Characteristics
Added “-6” bin to all modes.
2. Added x36 and x18 typical power supply operating current for 3.3ns
cycle time (I
DD-3.3
) to DC Electrical Characteristics (p. 11).
rev 1.2
09/24/98
1. Modified AC Timing Characteristics
Renamed “-4” bin to “-5” bin in all modes.
R-R Mode:
-5
T
KHKH
R-L, R-FT Modes:
-37
T
KHKH
T
KHQV
-5
T
KHKH
T
KHQV
4.0ns to 5.0ns
5.5ns to 5.3ns
5.5ns to 5.3ns
5.7ns to 5.3ns
5.7ns to 5.3ns
Rev. #
Rev. Date
Description of Modification
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CXK77B3641AGB 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAMs (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位))
CXK77B1841GB 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位))
CXK77B3611AGB- High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
CXK77B3611AGB-5 High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
CXK77B3611AGB-6 High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CXK77B1841GB-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM
CXK77B1841GB-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM
CXK77B3610AGB-5R 制造商:Sony Batteries 功能描述:77B3610AGB-5R
CXK77B3610GB- 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
CXK77B3610GB-6 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM
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