- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378988 > CXK77B1841AGB (Sony Corporation) 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK77B1841AGB |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| 中文描述： | 4Mb的后寫入LVTTL高速同步SRAM（128K的x 36Bit）（4分位，寫延遲，LVTTL高速同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（128K的× 36位）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/28頁(yè) |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | CXK77B1841AGB |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)當(dāng)前第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)
4Mb, Sync LW, LVTTL, rev 1.2
15 / 28
September 24, 1998
SONY
CXK77B3641AGB / CXK77B1841AGB
Preliminary
AC Test Conditions (V
DDQ
= 3.3V)
(V
DD
= V
DDQ
= 3.3V
±
5%, T
A
= 0 to 85
°
C
)
Item
Symbol
Conditions
Units
Notes
Input High Level
V
IH
V
IL
2.4
V
t
S
≥
1.0ns
t
S
≥
1.0ns
Input Low Level
0.4
V
Input Rise & Fall Time
1.0
V/ns
Input Reference Level
1.4
V
Clock
LVTTL Input High Voltage
V
KIH
V
KIL
V
CM
V
IH-PECL
V
IL-PECL
2.4
V
V
DIF
≥
1.0V
V
DIF
≥
1.0V
LVTTL Input Low Voltage
0.4
V
LVTTL Input Common Mode Voltage
1.4
V
PECL Input High Voltage
2.3
V
PECL Input Low Voltage
1.6
V
Clock Input Rise & Fall Time
1.0
V/ns
Clock Input Reference Level
K/K cross
V
Output Reference Level
1.4V
V
Output Load Conditions
Fig.2
DQ
1.4 V
Fig. 2: AC Test Output Load (V
DDQ
= 3.3V)
50
50
5 pF
16.7
1.4 V
50
50
5 pF
16.7
16.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK77B3641AGB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAMs (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| CXK77B1841GB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位)) |
| CXK77B3611AGB- | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-5 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-6 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK77B1841GB-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B1841GB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B3610AGB-5R | 制造商:Sony Batteries 功能描述:77B3610AGB-5R |
| CXK77B3610GB- | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3610GB-6 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。