參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1021CV33-10ZIT
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： TSOP2-44
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 554K
代理商： CY7C1021CV33-10ZIT
CY7C1021CV33
Document Number: 38-05132 Rev. *H
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Capacitance
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz, VCC = 3.3V
8
pF
COUT
Output Capacitance
8pF
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
SOJ
TSOP II
FBGA
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Test conditions follow standard test
methods and procedures for measuring
thermal impedance, per EIA/JESD51
65.06
76.92
95.32
°C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
34.21
15.86
10.68
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
Figure 3. AC Test Loads and Waveforms [4]
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
3.3V
OUTPUT
30 pF*
* CAPACITIVE LOAD CONSISTS
OF ALL COMPONENTS OF THE
TEST ENVIRONMENT
(b)
R 317
R2
351
Rise Time: 1 V/ns
Fall Time: 1 V/ns
30 pF*
OUTPUT
Z = 50
50
1.5V
(c)
(a)
3.3V
OUTPUT
5 pF
(d)
R 317
R2
351
8-ns devices:
10-, 12-, 15-ns devices:
High-Z characteristics:
Note
4. AC characteristics (except High-Z) for all 8-ns parts are tested using the load conditions shown in Figure (a). All other speeds are tested using the Thevenin load shown
in Figure (b). High-Z characteristics are tested for all speeds using the test load shown in Figure (d).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY7C109BL-15VI 128K x 8 Static RAM
CY7C109BL-15ZC 128K x 8 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1021CV33-10ZSXA 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64Kx16, 3.3V CPG R7 ASYNC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1021CV33-10ZSXAKJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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CY7C1021CV33-10ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1021CV33-10ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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