參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1021CV33-10ZIT
廠(chǎng)商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大小： 554K
代理商： CY7C1021CV33-10ZIT
CY7C1021CV33
Document Number: 38-05132 Rev. *H
Page 8 of 14
Figure 6. Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[14, 15]
Figure 7. Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)
Switching Waveforms (continued)
tHD
tSD
tSCE
tSA
tHA
tAW
tPWE
tWC
BW
t
DATA IO
ADDRESS
CE
WE
BHE,BLE
tHD
tSD
tBW
tSA
tHA
tAW
tPWE
tWC
tSCE
DATA IO
ADDRESS
BHE,BLE
CE
WE
Notes
14. Data IO is high impedance if OE, BHE, and/or BLE= VIH.
15. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high impedance state.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C1021CV33-10ZSXAKJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1021CV33-10ZSXAT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64Kx16, 3.3V CPG R7 ASYNC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1021CV33-10ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
CY7C1021CV33-10ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
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