參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C109BL-15VI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 8 Static RAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 546K
代理商： CY7C109BL-15VI
CY7C109B
CY7C1009B
Document #: 38-05038 Rev. *B
Page 3 of 11
Electrical Characteristics Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
Test Conditions
7C109B-20
7C1009B-20
7C109B-25
7C1009B-25
7C109B-35
7C1009B-35
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
VOH
Output HIGH Voltage
VCC = Min.,
IOH = –4.0 mA
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage
VCC = Min.,
IOL = 8.0 mA
0.4
V
VIH
Input HIGH Voltage
2.2
VCC
+ 0.3
2.2
VCC
+ 0.3
2.2
VCC
+ 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage[2]
–0.3
0.8
–0.3
0.8
–0.3
0.8
V
IIX
Input Load Current
GND < VI < VCC
–1
+1
–1
+1
–1
+1
μA
IOZ
Output Leakage
Current
GND < VI < VCC,
Output Disabled
–5
+5
–5
+5
–5
+5
μA
IOS
Output Short
Circuit Current[3]
VCC = Max.,
VOUT = GND
–300
mA
ICC
VCC Operating
Supply Current
VCC = Max.,
IOUT = 0 mA,
f = fMAX = 1/tRC
75
70
60
mA
ISB1
Automatic CE
Power-Down Current
—TTL Inputs
Max. VCC, CE1 > VIH
or CE2 < VIL,
VIN > VIH or
VIN < VIL, f = fMAX
30
25
mA
ISB2
Automatic CE
Power-Down Current
—CMOS Inputs
Max. VCC,
CE1 > VCC – 0.3V,
or CE2 < 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V,
or VIN < 0.3V, f = 0
10
mA
L2
—
mA
Capacitance[4]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VCC = 5.0V
9pF
COUT
Output Capacitance
8
pF
AC Test Loads and Waveforms
Note:
4. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
5V
OUTPUT
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
5V
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
≤ 3 ns
OUTPUT
R1 480
Ω
R1 480
Ω
R2
255
Ω
R2
255
Ω
167
Ω
Equivalent to:
VENIN EQUIVALENT
1.73V
TH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C109BL-15ZC 128K x 8 Static RAM
CY7C1157V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C109BN-12VC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C109BN-12ZC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C109BN-12ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C109BN-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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