參數(shù)資料
型號: CY7C1522JV18-250BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 14/27頁
文件大?。?/td> 658K
代理商: CY7C1522JV18-250BZI
CY7C1522JV18, CY7C1529JV18
CY7C1523JV18, CY7C1524JV18
Document #: 001-44700 Rev. *B
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ISB1
Automatic Power Down
Current
Max VDD,
Both Ports Deselected,
VIN ≥ VIH or VIN ≤ VIL
f = fMAX = 1/tCYC,
Inputs Static
300 MHz
(x8)
400
mA
(x9)
400
(x18)
400
(x36)
400
250 MHz
(x8)
380
mA
(x9)
380
(x18)
380
(x36)
380
AC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [11]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIH
Input HIGH Voltage
VREF + 0.2
V
VIL
Input LOW Voltage
VREF – 0.2
V
Capacitance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz, VDD = 1.8V, VDDQ =
1.5V
5.5
pF
CCLK
Clock Input Capacitance
8.5
pF
CO
Output Capacitance
6
pF
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
165 FBGA
Package
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Test conditions follow standard test
methods and procedures for measuring
thermal impedance, in accordance with
EIA/JESD51.
16.3
°C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
2.1
°C/W
Electrical Characteristics (continued)
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [12]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1524KV18-333BZI 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
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CY7C2566KV18-450BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
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參數(shù)描述
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CY7C1523JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523KV18-250BZ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1523KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray