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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1561KV18-500BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.33 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | CY7C1561KV18-500BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1561KV18, CY7C1576KV18
CY7C1563KV18, CY7C1565KV18
Document Number: 001-15878 Rev. *E
Page 20 of 28
Maximum Ratings
Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the
device. These user guidelines are not tested.
Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C
Ambient Temperature with Power Applied.. –55°C to +125°C
Supply Voltage on VDD Relative to GND ........–0.5V to +2.9V
Supply Voltage on VDDQ Relative to GND...... –0.5V to +VDD
DC Applied to Outputs in High-Z ........ –0.5V to VDDQ + 0.3V
Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015).. > 2001V
Latch up Current.................................................... > 200 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature (TA)
VDD [18]
VDDQ [18]
Commercial
0°C to +70°C
1.8 ± 0.1V
1.4V to
VDD
Industrial
–40°C to +85°C
Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [15]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Power Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
VDDQ
I/O Supply Voltage
1.4
1.5
VDD
V
VOH
Output HIGH Voltage
Note 19
VDDQ/2 – 0.12
VDDQ/2 + 0.12
V
VOL
Output LOW Voltage
Note 20
VDDQ/2 – 0.12
VDDQ/2 + 0.12
V
VOH(LOW)
Output HIGH Voltage
IOH = 0.1 mA, Nominal Impedance
VDDQ – 0.2
VDDQ
V
VOL(LOW)
Output LOW Voltage
IOL = 0.1 mA, Nominal Impedance
VSS
0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
VREF + 0.1
VDDQ + 0.15
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.15
VREF – 0.1
V
IX
Input Leakage Current
GND
≤ VI ≤ VDDQ
2
μA
IOZ
Output Leakage Current
GND
≤ VI ≤ VDDQ, Output Disabled
2
μA
VREF
Input Reference Voltage [21] Typical Value = 0.75V
0.68
0.75
0.95
V
IDD [22]
VDD Operating Supply
VDD = Max,
IOUT = 0 mA,
f = fMAX = 1/tCYC
550 MHz
(x8)
900
mA
(x9)
900
(x18)
920
(x36)
1310
500 MHz
(x8)
830
mA
(x9)
830
(x18)
850
(x36)
1210
450 MHz
(x8)
760
mA
(x9)
760
(x18)
780
(x36)
1100
400 MHz
(x8)
690
mA
(x9)
690
(x18)
710
(x36)
1000
Notes
18. Power up: Assumes a linear ramp from 0V to VDD(min) within 200 ms. During this time VIH < VDD and VDDQ < VDD.
19. Output are impedance controlled. IOH = (VDDQ/2)/(RQ/5) for values of 175 ohms <= RQ <= 350 ohms.
20. Output are impedance controlled. IOL = (VDDQ/2)/(RQ/5) for values of 175 ohms <= RQ <= 350 ohms.
21. VREF (min) = 0.68V or 0.46VDDQ, whichever is larger, VREF (max) = 0.95V or 0.54VDDQ, whichever is smaller.
22. The operation current is calculated with 50% read cycle and 50% write cycle.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1562XV18-366BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1562XV18-366BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1562XV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1562XV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C15631KV18450BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:CY7C15631KV18-450BZC |
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