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參數(shù)資料
| 型號： | DS1265W |
| 英文描述： | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 3.3V、8Mb非易失SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | DS1265W |
DS1265W
3 of 8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Soldering Temperature
-0.3V to +4.6V
0°C to +70°C (-40°C to +85°C for IND parts)
-40°C to +70°C (-40°C to +85°C for IND parts)
+260°C for 10 seconds
*
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(
T
A
: See Note 10
)
PARAMETER
SYMBOL
Power-Supply Voltage
V
CC
Logic 1 Input Voltage
V
IH
Logic 0 Input Voltage
V
IL
MIN
3.0
2.2
0.0
TYP
3.3
MAX
3.6
V
CC
+0.4
UNITS
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
: See Note 10; V
CC
= 3.3V 0.3V)
PARAMETER
SYMBOL
Input Leakage Current
I
IL
I/O Leakage Current
I
IO
Output Current at 2.2V
I
OH
Output Current at 0.4V
I
OL
Standby Current
CE
= 2.2V
I
CCS1
I
CCS2
Operating Current
I
CCO1
Write Protection Voltage
V
TP
MIN
-2.0
-2.0
-1.0
2.0
TYP
MAX
+2.0
+2.0
UNITS
A
A
mA
mA
A
NOTES
150
250
Standby Current
CE
= V
CC
- 0.2V
100
150
A
50
3.0
mA
V
2.8
2.9
CAPACITANCE
(
T
A
= +25 C)
PARAMETER
SYMBOL
Input Capacitance
C
IN
Input/Output Capacitance
C
I/O
MIN
TYP
10
10
MAX
20
20
UNITS
pF
pF
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1265W-100 | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265W-100-IND | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265W-150 | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265W-150-IND | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1275N | Transceiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1265W-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1265W-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1265W-100IND | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1265W-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265W-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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