參數(shù)資料
型號： DS1265W
英文描述： 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
中文描述： 3.3V、8Mb非易失SRAM
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： DS1265W
DS1265W
8 of 8
DS1265W NONVOLATILE SRAM 36-PIN 740MIL EXTENDED MODULE, LONG
PKG
36-PIN
DIM
MIN
MAX
A IN.
MM
2.080
52.83
2.100
53.34
B IN.
MM
0.720
18.29
0.740
18.80
C IN.
MM
0.355
9.02
0.405
10.29
D IN.
MM
0.180
4.57
0.210
5.33
E IN.
MM
0.015
0.38
0.025
0.63
F IN.
MM
0.120
3.05
0.150
4.06
G IN.
MM
0.090
2.29
0.110
2.79
H IN.
MM
0.590
14.99
0.630
16.00
J IN.
MM
0.008
0.20
0.012
0.30
K IN.
MM
0.015
0.38
0.025
0.58
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1265W-100 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-100-IND 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-150 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-150-IND 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1275N Transceiver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1265W-100 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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