參數(shù)資料
型號: DS1265W
英文描述: 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
中文描述: 3.3V、8Mb非易失SRAM
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 155K
代理商: DS1265W
DS1265W
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TIMING DIAGRAM: WRITE CYCLE 1
TIMING DIAGRAM: WRITE CYCLE 2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1265W-100 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-100-IND 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-150 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-150-IND 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1275N Transceiver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1265W-100 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube