- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384279 > EDE1104ABSE-6E-E (ELPIDA MEMORY INC) 1G bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | EDE1104ABSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數： | 60/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | EDE1104ABSE-6E-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁當前第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁
EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
60
WRIT
NOP
WRIT
/CK
CK
T0
T2
T4
T6
T8
T10
T1
T3
T5
T7
T9
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
Burst interrupt is only
allowed at this timing.
Write Interrupt by Write (WL = 3, BL = 8)
in
B7
A
B
WL = 3
in
A0
in
A1
in
A2
in
A3
in
B0
in
B1
in
B2
in
B3
in
B4
in
B5
in
B6
Notes :1. Write burst interrupt function is only allowed on burst of 8. Burst interrupt of 4 is prohibited.
2. Write burst of 8 can only be interrupted by another write command. Write burst interruption by read
command or precharge command is prohibited.
3. Write burst interrupt must occur exactly two clocks after previous write command. Any other write burst
interrupt timings are prohibited.
4. Write burst interruption is allowed to any bank inside DRAM.
5. Write burst with auto precharge enabled is not allowed to interrupt.
6. Write burst interruption is allowed by another write with auto precharge command.
7. All command timings are referenced to burst length set in the mode register. They are not referenced to
actual burst. For example, minimum write to precharge timing is WL + BL/2 + tWR where tWR starts with
the rising clock after the un-interrupted burst end and not from the end of actual burst end.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE1104ABSE-8E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-4A-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-5C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EDE1104ABSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。