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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE1104ABSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 68/82頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | EDE1104ABSE-6E-E |
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EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
68
Burst Write with Auto-Precharge [WRITA]
If A10 is high when a write command is issued, the Write with auto-precharge function is engaged. The DDR2
SDRAM automatically begins precharge operation after the completion of the burst writes plus write recovery time
(tWR). The bank undergoing auto-precharge from the completion of the write burst may be reactivated if the
following two conditions are satisfied.
(1) The data-in to bank activate delay time (tWR + tRP) has been satisfied.
(2) The /RAS cycle time (tRC) from the previous bank activation has been satisfied.
in1
in3
/CK
CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tm
Command
DQS, /DQS
DQ
≥
tWR
Auto precharge begins
Completion of the burst write
in0
in2
Posted
WRIT
ACT
NOP
≥
tRP
WL = RL –1 = 2
A10 = 1
tRC (min.)
Burst Write with Auto-Precharge (tRC Limit) (WL = 2, tWR =2)
NOP
CK
/CK
T0
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
Auto precharge begins
Completion of the burst write
in0
in2
NOP
in1
in3
Posted
WRIT
ACT
WL = RL –1 = 4
A10 = 1
≥
tRC
tWR (min.)
tRP (min.)
Burst Write with Auto-Precharge (tWR + tRP) (WL = 4, tWR =2, tRP=3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE1104ABSE-8E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-4A-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-5C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE1104ABSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ACBG-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
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