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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2108ABSE-8G-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 34/81頁 |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | EDE2108ABSE-8G-E |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
34
Function Truth Table
The following tables show the operations that are performed when each command is issued in each state of the
DDR SDRAM.
Current state
/CS
/RAS /CAS /WE
Address
Command
Operation
Notes
Idle
H
×
×
×
×
DESL
Nop
L
H
H
H
×
NOP
Nop
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Row activating
L
L
H
L
BA
PRE
Nop
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
Nop
L
L
L
H
×
REF
Auto-refresh
2
L
L
L
H
×
SELF
Self-refresh
2
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
Mode register accessing
2
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE EMRS (1) (2)
Extended mode register accessing 2
Bank(s) active
H
×
×
×
×
DESL
Nop
L
H
H
H
×
NOP
Nop
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
Begin Read
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
Begin Write
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
Precharge
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
Precharge all banks
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Continue burst to end -> Row
active
Continue burst to end -> Row
active
Burst interrupt
Read
H
×
×
×
×
DESL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1, 4
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE EMRS (1) (2)
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
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| EDE2508ABSE-6C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ABSE-6C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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