參數(shù)資料
型號: EDE2108ABSE-8G-E
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2G bits DDR2 SDRAM
中文描述: 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA68
封裝: ROHS COMPLIANT, FBGA-68
文件頁數(shù): 69/81頁
文件大小: 604K
代理商: EDE2108ABSE-8G-E
EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
69
WRIT
ACT
/CK
CK
T0
T2
T4
T6
T8
T10
T3
T5
T7
T9
T11
T12
T13
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
WL = RL
1 = 4
A10 = 1
tWR
tRP
Auto precharge begins
tRC
in0
in1
in2
in3
in4 in5
in6
in7
Burst Write with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(WL = 4, BL = 8, tWR = 2, tRP = 3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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