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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2108ABSE-8G-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/81頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2108ABSE-8G-E |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
37
Current state
/CS
/RAS /CAS /WE
Address
Command
Operation
Note
Write recovering
with auto
precharge
H
×
×
×
×
DESL
Nop -> Precharging after tWR
L
H
H
H
×
NOP
Nop -> Precharging after tWR
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Refresh
H
×
×
×
×
DESL
Nop -> Enter idle after tRFC
L
H
H
H
×
NOP
Nop -> Enter idle after tRFC
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
Mode register
accessing
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
H
×
×
×
×
DESL
Nop -> Enter idle after tMRD
L
H
H
H
×
NOP
Nop -> Enter idle after tMRD
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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