型號(hào): | FM2G50US60 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 50A條一(c) |
文件頁數(shù): | 2/9頁 |
文件大?。?/td> | 705K |
代理商: | FM2G50US60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FM2G75US60 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
FM301 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
FM302 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
FM303 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
FM304 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FM2G75US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FM2-LAIRD | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:ANTENNA HARDWARE/ACCESSORY |
FM2SP | 功能描述:ACCY MOUNTING KIT HD 2.5 MAST RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
FM2STST05M | 制造商:MISC WIRE AND CABLE 功能描述: |
FM3 | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOUNT,HDL,3IN MAST |