參數(shù)資料
型號： FM2G50US60
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： FM2G50US60
2000 Fairchild Semiconductor International
FM2G50US60 Rev. A
F
0
10
20
30
40
50
2
10
20
5
Common Cathode
di/dt = 100A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
T
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
Fig 20. Reverse Recovery Characteristics
Fig 19. Forward Characteristics
0
1
2
3
4
0
40
80
120
160
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FM2G75US60 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
FM301 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
FM302 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
FM303 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
FM304 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FM2G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2-LAIRD 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:ANTENNA HARDWARE/ACCESSORY
FM2SP 功能描述:ACCY MOUNTING KIT HD 2.5 MAST RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
FM2STST05M 制造商:MISC WIRE AND CABLE 功能描述:
FM3 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOUNT,HDL,3IN MAST
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