參數(shù)資料
型號(hào)： FMBL1G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 10MHz DDS Sweep Function Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:10 mSec to 30 Sec; Frequency Max:10MHz; Frequency Min:0.01Hz RoHS Compliant: NA
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 699K
代理商： FMBL1G200US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBL1G200US60 Rev. A
F
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coeff. of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
±
100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 0V, I
C
= 200mA
5.0
--
8.5
V
V
CE(sat)
I
C
= 200A
,
V
GE
= 15V
--
2.2
2.8
V
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
14600
2170
500
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 200A,
R
G
= 1.8
, V
GE
= 15V
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
120
75
200
90
3.6
8.7
12.3
220
100
290
210
4.8
11.8
16.6
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
250
200
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
CC
= 300 V, I
C
= 200A,
R
G
= 1.8
, V
GE
= 15V
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 300 V, I
C
= 200A,
V
GE
= 15V
--
--
--
820
170
365
900
--
--
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBL1G300US60 BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBL1G300US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBL1G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBL1G50US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMBL1G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBM5401 功能描述:兩極晶體管 - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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