參數(shù)資料
型號： FMBL1G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 10MHz DDS Sweep Function Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:10 mSec to 30 Sec; Frequency Max:10MHz; Frequency Min:0.01Hz RoHS Compliant: NA
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 699K
代理商： FMBL1G200US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBL1G200US60 Rev. A
F
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
400A
200A
I
C
= 100A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
400A
200A
I
C
= 100A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
30
60
90
120
150
180
210
240
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
= 100
℃
Power Dissipation = 250W
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
5
400A
200A
I
C
= 100A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.3
1
10
20
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
0
50
100
150
200
250
300
350
400
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
相關PDF資料
PDF描述
FMBL1G300US60 BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FMBL1G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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FMBM5401 功能描述:兩極晶體管 - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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