參數(shù)資料
型號： FQB22P10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V P-Channel MOSFET
中文描述： 22 A, 100 V, 0.125 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 636K
代理商： FQB22P10
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. C, August 2002
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
GS
V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50V
V
DS
= -20V
V
DS
= -80V
※
Note : I
D
= -22 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
175
℃
25
℃
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
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PDF描述
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FQI27N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOS場效應管)
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