參數(shù)資料
型號： FQB60N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
中文描述： 51 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： FQB60N03L
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB60N03L Rev. B
F
Typical Characteristic
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
40
700
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
C
125
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
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PDF描述
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參數(shù)描述
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