參數(shù)資料
型號： FQB60N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
中文描述： 51 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： FQB60N03L
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB60N03L Rev. B
F
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 13. Switching Time vs Gate Resistance
Figure 14. Switching Time vs Gate Resistance
Typical Characteristic
(Continued)
T
C
= 25°C unless otherwise noted
100
1000
0.1
1
10
30
2000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 51A
I
D
= 27A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
50
100
150
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V, I
D
= 12A
t
d(OFF)
t
r
t
f
t
d(ON)
0
50
100
150
200
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V, I
D
= 12A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB6N50 500V N-Channel MOSFET
FQI6N50 500V N-Channel MOSFET
FQB6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQI6N60C 600V N-Channel MOSFET
FQB6N60 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET)
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參數(shù)描述
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