參數(shù)資料
型號(hào)： FS50R12KT3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： echnische Information / technical information
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： FS50R12KT3
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R12KT3
prepared by: Martin Knecht
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-6-27
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V￥
2,5
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Cu
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,50
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,02
K/W
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
19
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Zweig / per arm
Róó
2,50
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS50SM-06 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-06 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-2 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-2 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS50SM-3 HIGH-SPEED SWITCHING USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FS50R12KT3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS50R12KT4_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS50R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS50R12W2T4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS50R12W2T4_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*