參數(shù)資料
型號(hào)： FS50R12KT3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： echnische Information / technical information
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： FS50R12KT3
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R12KT3
prepared by: Martin Knecht
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-6-27
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 18 , V = 600 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
6,5
6,0
5,5
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 50 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
8
16
24
32
40
48
56
64
72
80
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,07637
0,003333
2
0,4933
0,03429
3
0,1421
0,1294
4
0,04501
0,7662
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