參數(shù)資料
型號： FS50R12KT3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： echnische Information / technical information
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： FS50R12KT3
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R12KT3
prepared by: Martin Knecht
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-6-27
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehuseabmessungen / package outlines
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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FS50R12W2T4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS50R12W2T4_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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