參數(shù)資料
型號： FSB50550T
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 運動控制電子
英文描述： Smart Power Module (SPM)
中文描述： AC MOTOR CONTROLLER, 3.5 A, DMA23
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： FSB50550T
5
www.fairchildsemi.com
FSB50550T Rev. A
F
Figure 4. Switching Time Definition
Figure 5. Switching and RBSOA(Single-pulse) Test Circuit (Low-side)
Figure 6. Undervoltage Protection (Low-side)
Figure 7. Undervoltage Protection (High-side)
t
ON
t
rr
I
rr
100% of I
D
120% of I
D
(a) Turn-on
t
OFF
(b) Turn-off
I
D
V
DS
V
DS
I
D
V
IN
V
IN
10% of I
D
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
One-leg Diagram of SPM
I
D
V
CC
R
BS
C
BS
L
V
DC
+
V
DS
-
UV
CCD
UV
CCR
Input Signal
UV Protection
Status
Low-side Supply, V
CC
MOSFET Current
RESET
DETECTION
RESET
UV
BSD
UV
BSR
Input Signal
UV Protection
Status
High-side Supply, V
BS
MOSFET Current
RESET
DETECTION
RESET
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參數(shù)描述
FSB50550T_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Smart Power Module (SPM㈢)
FSB50550TB 功能描述:IGBT 模塊 500V, 1.2A, SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB50550TB2 功能描述:IGBT 模塊 1.2A 500V SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB50550U 功能描述:IGBT 模塊 500V/1.2A Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB50550US 功能描述:IGBT 模塊 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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