參數(shù)資料
型號(hào)： FSB50550T
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： Smart Power Module (SPM)
中文描述： AC MOTOR CONTROLLER, 3.5 A, DMA23
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 166K
代理商： FSB50550T
7
www.fairchildsemi.com
FSB50550T Rev. A
F
Detailed Package Outline Drawings
0.60
±0.10
Max 1.00
1
±
29.00
±0.20
(1.165)
15*1.778=26.67
±0.30
0.60
±0.10
Max 1.00
(
(
(2.275)
4x3.90=15.60
±0.30
#1
#16
#17
#23
2x3.90=7.80
±0.30
12.23
±0.30
13.13
±0.30
13.34
±0.30
13.34
±0.30
1
1
1
±
1
±
0
+
-
5
3
R040
R040
(1.00)
(1.80)
3.10
±0.20
6.20
±0.20
1.95
±0.30
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參數(shù)描述
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FSB50550TB 功能描述:IGBT 模塊 500V, 1.2A, SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB50550TB2 功能描述:IGBT 模塊 1.2A 500V SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB50550U 功能描述:IGBT 模塊 500V/1.2A Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSB50550US 功能描述:IGBT 模塊 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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