參數(shù)資料
型號： FSX017X
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： GaAs FET & HEMT Chips
中文描述： 砷化鎵場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： FSX017X
2
FSX017X
GaAs FET & HEMT Chips
POWER DERATING CURVE
DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAG
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
T
2
4
6
8
10
Drain-Source Voltage (V)
40
50
60
70
20
30
10
D
VGS = 0V
-0.2V
-0.4V
-0.6V
-0.8V
-1.0V
-1.2V
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS = 8V
IDS = 0.7I DSS
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
Input Power (dBm)
12
10
14
16
18
20
22
8
40
60
20
O
η
add
Pout
f=4GHz
f=4GHz
8GHz
8GHz
12GHz
12GHz
η
a
P1dB vs. VDS
f = 8GHz
IDS = 0.7 IDSS
4
5
6
7
8
Drain-Source Voltage (V)
20
22
18
16
14
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSX027WF General Purpose GaAs FET
FSX027X GaAs FET & HEMT Chips
FT2000A Fast Silicon Rectifiers
FT2000B Fast Silicon Rectifiers
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參數(shù)描述
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